品牌 | 其他品牌 | 材质 | 其他 |
---|---|---|---|
驱动方式 | 其他 |
光电探测器的原理是由辐射引起被照射材料电导率发生改变。光电探测器在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。在可见光或近红外波段主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等;在红外波段主要用于D弹制导、红外热成像、红外遥感等方面。光电导体的另一应用是用它做摄像管靶面。为了避免光生载流子扩散引起图像模糊,连续薄膜靶面都用高阻多晶材料,如PbS-PbO、Sb2S3等。其他材料可采取镶嵌靶面的方法,整个靶面由约10万个单独探测器组成。
光电探测器能把光信号转换为电信号。根据器件对辐射响应的方式不同或者说器件工作的机理不同,光电探测器可分为两大类:一类是光子探测器;另一类是热探测器。
光电探测器件的应用选择,实际上是应用时的一些事项或要点。在很多要求不太严格的应用中,可采用任何一种光电探测器件。不过在某些情况下,选用某种器件会更合适些。例如,当需要比较大的光敏面积时,可选用真空光电管,因其光谱响应范围比较宽,故真空光电管普遍应用于分光光度计中。当被测辐射信号微弱、要求响应速度较高时,采用光电倍增管最合适,因为其放大倍数可达10^4~10^8以上,这样高的增益可使其信号超过输出和放大线路内的噪声分量,使得对探测器的限制只剩下光阴极电流中的统计变化。因此,在天文学、光谱学、激光测距和闪烁计数等方面,光电倍增管得到广泛应用。
EMG SV1-10/16/315/6
EMG SV1-10/32/315/6
光电探测头 :EVK2-CP/600.71/L/R EMG纠偏单元 EPC无液压站自动对边设备
高频交变光测量接收器:LS13 IP54, 0~50℃.
高频交变光测量接受器:LS14; IP54, 0~50℃.
高频交流光发射器:LLS675/01
数字式控制单元:ICONXE/AE1054
线性位移传感器:KLW 300.012
液压阀台:HT16.500
液压伺服阀SV1-10/48/315/6
带CAN-BUS 20米
供电: 220VAC
信号输出PROF INET
固体光电探测器用途非常广。CdS光敏电阻因其成本低而在光亮度控制(如照相自动曝光)中得到采用;光电池是固体光电器件中具有最大光敏面积的器件,它除用做探测器件外,还可作太阳能变换器;硅光电二极管体积小、响应快、可靠性高,而且在可见光与近红外波段内有较高的量子效率,因而在各种工业控制中获得应用。硅雪崩管由于增益高、响应快、噪声小,因而在激光测距与光纤通信中普遍采用。
photoconductive detector 利用半导体材料的光电导效应制成的一种光探测器件。所谓光电导效应,是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象。光电导探测器在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。在可见光或近红外波段主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等;在红外波段主要用于D弹制导、红外热成像、红外遥感等方面。光电导体的另一应用是用它做摄像管靶面。为了避免光生载流子扩散引起图像模糊,连续薄膜靶面都用高阻多晶材料,如PbS-PbO、Sb2S3等。其他材料可采取镶嵌靶面的方法,整个靶面由约10万个单独探测器组成。
EMG LS13.01测量光电传感器
EVK2-CP/400.71/L/R EMG 传感器
EVM2 CP/750.71/L/R传感器 EMG
LS14.01 EMG 测量光电传感器
EMG光电式测量传感器 EVM2-CP/1850 71/L/R
EMG 高频报警光发射器 LIH2/30/230.01
EMG LID2-800.2C 对中光源发射器
EMG LID2-300.2C 对中光源发射器
EMG LLS 1075 线性光源发射器
EMG LLS 1075/01 线性光源发射器
CPC光源 LLS 675/11 Lichtband
EMG LLS 875/02 线性光源发射器
EMG LLS 675/01 线性光源发射器
EMG 线性光源发射器 LLS875/01
EMG对中光源发射器 LIE 1075/230/50
EMG LLS 475/01 线性光源发射器
EMG LIC1075/11光源发射器
EMG 对中光源发射器 LIE 1075/230/50
EPC测量单元 EVK2-CP_600.71_L_R_A_Version_02
EMG 光源发射器 L1C770/01-24VDC/3.0A
EMG LPS600.01 光源发射器
EMG LIC770/01 光源发射器
EMG LIC1075/01 光源发射器
EMG LIC770/11 CPC高频光源
EMG LID2-800.32C 对中光源发射器
EMG SV1-10/16/100/1/D 伺服阀
伺服阀 SERVOVENTIL SV1-06/05/210/5
1873年,英国W·史密斯发现硒的光电导效应,但是这种效应长期处于探索研究阶段,未获实际应用。第二次世界大战以后,随着半导体的发展,各种新的光电导材料不断出现。在可见光波段方面,到二十世纪50年代中期,性能良好的硫化镉、硒化镉光敏电阻和红外波段的硫化铅光电探测器都已投入使用。二十世纪60年代初,中远红外波段灵敏的Ge、Si掺杂光电导探测器研制成功,典型的例子是工作在3~5微米和8~14微米波段的Ge:Au(锗掺金)和Ge:Hg光电导探测器。二十世纪60年代末以后,HgCdTe、PbSnTe等可变禁带宽度的三元系材料的研究取得进展。 工作原理和特性 光电导效应是内光电效应的一种。当照射的光子能量hv等于或大于半导体的禁带宽度Eg时,光子能够将价带中的电子激发到导带,从而产生导电的电子、空穴对,这就是本征光电导效应。这里h是普朗克常数,v是光子频率,Eg是材料的禁带宽度(单位为电子伏)。因此,本征光电导体的响应长波限λc为 λc=hc/Eg=1.24/Eg (μm) 式中 c为光速。本征光电导材料的长波限受禁带宽度的限制。
工作温度高(高于77K),使用方便,而Ge:Hg工作温度为38K;本征吸收系数大,样品尺寸小;易于制造多元器件。表1和表2分别列出部分半导体材料的Eg、Ei和λc值。EVK2-CP/600.71/L/R EPC无液压站EMG 探测头
电话
微信扫一扫