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| 品牌 | 其他品牌 | 材质 | 其他 |
|---|---|---|---|
| 驱动方式 | 其他 |
光发射机由输入接口、光源、驱动电路、监控电路、控制电路等构成，其核心是光源及驱动电路。在数字通信中，输入电路将输入的信号（如PCM脉冲）进行整形，变换成适于线路传送的码型后通过驱动电路光源，或者送到光调制器调制光源输出的连续光波。为了稳定输出的平均光功率和工作温度，通常要设置一个自动的温度控制及功率控制电路。
调制方式通常分为两大类，即模拟调制和数字调制。
EMG LIC1075/11光源发射器
EMG 对中光源发射器 LIE 1075/230/50
EPC测量单元 EVK2-CP_600.71_L_R_A_Version_02
EMG 光源发射器 L1C770/01-24VDC/3.0A
EMG LPS600.01 光源发射器
EMG LIC770/01 光源发射器
EMG LIC1075/01 光源发射器
EMG LIC770/11 CPC高频光源
EMG LID2-800.32C 对中光源发射器
EMG SV1-10/16/100/1/D 伺服阀
伺服阀 SERVOVENTIL SV1-06/05/210/5
EMG SV1-10/32/315/6 伺服阀
EMG SV1-10/8/315/6 伺服阀
EMG SV1-10/16/120/6 伺服阀
EMG SV1-10/48/315-6 伺服阀
EMG SV1-10/4/315/6 伺服阀
EMG SV1-10/4/100/6伺服阀
EMG SV1-10/8/100/6伺服阀
EMG SV1-10/16/100/6 伺服阀
EMG 伺服阀 SV1-10/8/100-6
EMG 伺服阀 SV1-10/16/315/6
EMG传感器CCD pro-5000
EMG SV1-10/16/315/8 伺服阀
EMG SV1-10/16/315/6伺服阀
SMI-HR/500/2400/1700/200/A/传感器
伺服阀 CPSV-F040-LTQ-10/7P
传感器 SMI 1-53
BMI4/60/80 传感器
EMG SV1-10/48/315/6伺服阀
EMG SV1-10/32/100/6伺服阀
EMG传感器 BMI4/60/80/L/S.723
EMG传感器 BMI4/60/80/R/S.723
固体光电探测器用途非常广。CdS光敏电阻因其成本低而在光亮度控制（如照相自动曝光）中得到采用；光电池是固体光电器件中具有最大光敏面积的器件，它除用做探测器件外，还可作太阳能变换器；硅光电二极管体积小、响应快、可靠性高，而且在可见光与近红外波段内有较高的量子效率，因而在各种工业控制中获得应用。硅雪崩管由于增益高、响应快、噪声小，因而在激光测距与光纤通信中普遍采用。
photoconductive detector 利用半导体材料的光电导效应制成的一种光探测器件。所谓光电导效应，是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象。光电导探测器在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。在可见光或近红外波段主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等；在红外波段主要用于D弹制导、红外热成像、红外遥感等方面。光电导体的另一应用是用它做摄像管靶面。为了避免光生载流子扩散引起图像模糊，连续薄膜靶面都用高阻多晶材料,如PbS-PbO、Sb2S3等。其他材料可采取镶嵌靶面的方法，整个靶面由约10万个单独探测器组成。
EMG LS13.01测量光电传感器
EVK2-CP/400.71/L/R EMG 传感器
EVM2 CP/750.71/L/R传感器 EMG
LS14.01 EMG 测量光电传感器
EMG光电式测量传感器 EVM2-CP/1850 71/L/R
EMG 高频报警光发射器 LIH2/30/230.01
EMG LID2-800.2C 对中光源发射器
EMG LID2-300.2C 对中光源发射器
EMG LLS 1075 线性光源发射器
EMG LLS 1075/01 线性光源发射器
CPC光源 LLS 675/11 Lichtband
EMG LLS 875/02 线性光源发射器
EMG LLS 675/01 线性光源发射器
EMG 线性光源发射器 LLS875/01
EMG对中光源发射器 LIE 1075/230/50
EMG LLS 475/01 线性光源发射器
EMG LIC1075/11光源发射器
EMG 对中光源发射器 LIE 1075/230/50
EPC测量单元 EVK2-CP_600.71_L_R_A_Version_02
EMG 光源发射器 L1C770/01-24VDC/3.0A
EMG LPS600.01 光源发射器
EMG LIC770/01 光源发射器
EMG LIC1075/01 光源发射器
EMG LIC770/11 CPC高频光源
EMG LID2-800.32C 对中光源发射器
EMG SV1-10/16/100/1/D 伺服阀
伺服阀 SERVOVENTIL SV1-06/05/210/5
1873年，英国W·史密斯发现硒的光电导效应，但是这种效应长期处于探索研究阶段，未获实际应用。第二次世界大战以后，随着半导体的发展，各种新的光电导材料不断出现。在可见光波段方面，到二十世纪50年代中期，性能良好的硫化镉、硒化镉光敏电阻和红外波段的硫化铅光电探测器都已投入使用。二十世纪60年代初，中远红外波段灵敏的Ge、Si掺杂光电导探测器研制成功，典型的例子是工作在3～5微米和8～14微米波段的Ge:Au（锗掺金）和Ge:Hg光电导探测器。二十世纪60年代末以后,HgCdTe、PbSnTe等可变禁带宽度的三元系材料的研究取得进展。 工作原理和特性 光电导效应是内光电效应的一种。当照射的光子能量hv等于或大于半导体的禁带宽度Eg时，光子能够将价带中的电子激发到导带，从而产生导电的电子、空穴对,这就是本征光电导效应。这里h是普朗克常数，v是光子频率,Eg是材料的禁带宽度（单位为电子伏）。因此，本征光电导体的响应长波限λc为 λc=hc/Eg=1.24/Eg (μm) 式中 c为光速。本征光电导材料的长波限受禁带宽度的限制。
工作温度高（高于77K），使用方便,而Ge:Hg工作温度为38K；本征吸收系数大,样品尺寸小；易于制造多元器件。表1和表2分别列出部分半导体材料的Eg、Ei和λc值。
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