品牌 | 其他品牌 | 材质 | 其他 |
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驱动方式 | 其他 |
cpc对中系统 控制单元 SGC1000/AE1034 EMG
控制单元(Control Unit)负责程序的流程管理。正如工厂的物流分配部门,控制单元是整个CPU的指挥控制中心,由指令寄存器IR(Instruction Register)、指令译码器ID(Instruction Decoder)和操作控制器OC(Operation Controller)三个部件组成,对协调整个电脑有序工作极为重要。
控制单元是实现一种或多种控制规律的控制仪表或控制部件。如:多路传输控制单元、代理设置控制单元。
cpc对中系统 控制单元 SGC1000/AE1034 EMG
cpc对中系统 控制单元 SGC1000/AE1034 C003001 VEC000001德国 EMG 220AC 50MA 含操作面板 DCU 02
电位计 EVK2-403 EMG
CPC控制板小 SGC1000-2.1 P/N:CA003008,8/N:90693
CPC控制主板大 SGC1000-2.2.P/N:CA003005.SH:10773
cpc对中系统 控制单元 SGC1000/AE1034 C003001 VEC000001德国 EMG 220AC
高频光源发射器 LLS 1275/01EMG
EMG线性光源发射器 LID2-800.32C 备件号:C019006
对中光源1075
线性光源发射器LLS675/01
高频光源LLS875/02
uS 675/11 Lchtband 品牌:EMG CPC光源
CPC光源 LLS 675/11 Lichtband 品牌:EMG
EMG对中线性光源发射器:LID2-800.2C元件编号:C019005
EMG线性光源发射器LLS875/01
EMG光源\LLS1075/01
线性光源发射器_EMG LLS 1075/01 24V DC/0, 7A
EMG高频光源发射器LIC1075/11
光源/L1C770/01-24VDC/3.0A
无论哪一个种类的控制单元,原理均为通过控制单元发出的控制信号对CPU各个部分加以控制。控制单元大体可以分为以下两类。
它根据用户预先编好的程序,依次从存储器中取出各条指令,放在指令寄存器IR中,通过指令译码(分析)确定应该进行什么操作,然后通过操作控制器OC,按确定的时序,向相应的部件发出微操作控制信号。操作控制器OC中主要包括节拍脉冲发生器、控制矩阵、时钟脉冲发生器、复位电路和启停电路等控制逻辑。
EMG LS13.01测量光电传感器
EVK2-CP/400.71/L/R EMG 传感器
EVM2 CP/750.71/L/R传感器 EMG
LS14.01 EMG 测量光电传感器
EMG光电式测量传感器 EVM2-CP/1850 71/L/R
EMG 高频报警光发射器 LIH2/30/230.01
EMG LID2-800.2C 对中光源发射器
EMG LID2-300.2C 对中光源发射器
EMG LLS 1075 线性光源发射器
EMG LLS 1075/01 线性光源发射器
CPC光源 LLS 675/11 Lichtband
EMG LLS 875/02 线性光源发射器
EMG LLS 675/01 线性光源发射器
EMG 线性光源发射器 LLS875/01
EMG对中光源发射器 LIE 1075/230/50
EMG LLS 475/01 线性光源发射器
EMG LIC1075/11光源发射器
EMG 对中光源发射器 LIE 1075/230/50
EPC测量单元 EVK2-CP_600.71_L_R_A_Version_02
EMG 光源发射器 L1C770/01-24VDC/3.0A
EMG LPS600.01 光源发射器
EMG LIC770/01 光源发射器
EMG LIC1075/01 光源发射器
EMG LIC770/11 CPC高频光源
EMG LID2-800.32C 对中光源发射器
EMG SV1-10/16/100/1/D 伺服阀
伺服阀 SERVOVENTIL SV1-06/05/210/5
1873年,英国W·史密斯发现硒的光电导效应,但是这种效应长期处于探索研究阶段,未获实际应用。第二次世界大战以后,随着半导体的发展,各种新的光电导材料不断出现。在可见光波段方面,到二十世纪50年代中期,性能良好的硫化镉、硒化镉光敏电阻和红外波段的硫化铅光电探测器都已投入使用。二十世纪60年代初,中远红外波段灵敏的Ge、Si掺杂光电导探测器研制成功,典型的例子是工作在3~5微米和8~14微米波段的Ge:Au(锗掺金)和Ge:Hg光电导探测器。二十世纪60年代末以后,HgCdTe、PbSnTe等可变禁带宽度的三元系材料的研究取得进展。 工作原理和特性 光电导效应是内光电效应的一种。当照射的光子能量hv等于或大于半导体的禁带宽度Eg时,光子能够将价带中的电子激发到导带,从而产生导电的电子、空穴对,这就是本征光电导效应。这里h是普朗克常数,v是光子频率,Eg是材料的禁带宽度(单位为电子伏)。因此,本征光电导体的响应长波限λc为 λc=hc/Eg=1.24/Eg (μm) 式中 c为光速。本征光电导材料的长波限受禁带宽度的限制。
工作温度高(高于77K),使用方便,而Ge:Hg工作温度为38K;本征吸收系数大,样品尺寸小;易于制造多元器件。表1和表2分别列出部分半导体材料的Eg、Ei和λc值。
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