CPC控制主板大 SGC1000-2.2 EMG德国原装

控制单元（Control Unit）负责程序的流程管理。正如工厂的物流分配部门，控制单元是整个CPU的指挥控制中心，由指令寄存器IR(Instruction Register)、指令译码器ID(Instruction Decoder)和操作控制器OC(Operation Controller)三个部件组成，对协调整个电脑有序工作极为重要。

控制单元是实现一种或多种控制规律的控制仪表或控制部件。如：多路传输控制单元、代理设置控制单元。

CPC控制主板大 SGC1000-2.2 EMG德国原装

cpc对中系统 控制单元 SGC1000/AE1034 C003001 VEC000001德国 EMG 220AC 50MA 含操作面板 DCU 02

电位计 EVK2-403 EMG

CPC控制板小 SGC1000-2.1 P/N:CA003008,8/N:90693

CPC控制主板大 SGC1000-2.2.P/N:CA003005.SH:10773

cpc对中系统 控制单元 SGC1000/AE1034 C003001 VEC000001德国 EMG 220AC

高频光源发射器 LLS 1275/01EMG

EMG线性光源发射器    LID2-800.32C 备件号：C019006

对中光源1075

线性光源发射器LLS675/01

高频光源LLS875/02

uS 675/11 Lchtband 品牌:EMG     CPC光源

CPC光源 LLS 675/11 Lichtband 品牌：EMG

EMG对中线性光源发射器：LID2-800.2C元件编号：C019005

EMG线性光源发射器LLS875/01

EMG光源\LLS1075/01

线性光源发射器_EMG LLS 1075/01 24V DC/0, 7A

EMG高频光源发射器LIC1075/11

光源/L1C770/01-24VDC/3.0A

无论哪一个种类的控制单元，原理均为通过控制单元发出的控制信号对CPU各个部分加以控制。控制单元大体可以分为以下两类。

• 微程序式，由微程序读取和发出控制信号。通过被称为微型定序器的简单数字通路（微型电脑）对微程序加以执行。 [1]
• 硬件型控制单元。由数字通路直接发出控制信号。由于集成电路的规模化及设计技术的进步，此种控制单元已成为可能。

• 它根据用户预先编好的程序，依次从存储器中取出各条指令，放在指令寄存器IR中，通过指令译码(分析)确定应该进行什么操作，然后通过操作控制器OC，按确定的时序，向相应的部件发出微操作控制信号。操作控制器OC中主要包括节拍脉冲发生器、控制矩阵、时钟脉冲发生器、复位电路和启停电路等控制逻辑。

EMG LS13.01测量光电传感器

EVK2-CP/400.71/L/R EMG 传感器

EVM2 CP/750.71/L/R传感器 EMG

LS14.01 EMG 测量光电传感器

EMG光电式测量传感器 EVM2-CP/1850 71/L/R

EMG 高频报警光发射器 LIH2/30/230.01

EMG LID2-800.2C 对中光源发射器

EMG LID2-300.2C 对中光源发射器

EMG LLS 1075 线性光源发射器

EMG LLS 1075/01 线性光源发射器

CPC光源 LLS 675/11 Lichtband

EMG LLS 875/02 线性光源发射器

EMG LLS 675/01 线性光源发射器

EMG 线性光源发射器 LLS875/01

EMG对中光源发射器 LIE 1075/230/50

EMG LLS 475/01 线性光源发射器

EMG LIC1075/11光源发射器

EMG 对中光源发射器 LIE 1075/230/50

EPC测量单元 EVK2-CP_600.71_L_R_A_Version_02

EMG 光源发射器 L1C770/01-24VDC/3.0A

EMG LPS600.01 光源发射器

EMG  LIC770/01 光源发射器

EMG LIC1075/01 光源发射器

EMG LIC770/11  CPC高频光源

EMG LID2-800.32C 对中光源发射器

EMG SV1-10/16/100/1/D 伺服阀

伺服阀 SERVOVENTIL SV1-06/05/210/5

1873年，英国W·史密斯发现硒的光电导效应，但是这种效应长期处于探索研究阶段，未获实际应用。第二次世界大战以后，随着半导体的发展，各种新的光电导材料不断出现。在可见光波段方面，到二十世纪50年代中期，性能良好的硫化镉、硒化镉光敏电阻和红外波段的硫化铅光电探测器都已投入使用。二十世纪60年代初，中远红外波段灵敏的Ge、Si掺杂光电导探测器研制成功，典型的例子是工作在3～5微米和8～14微米波段的Ge:Au（锗掺金）和Ge:Hg光电导探测器。二十世纪60年代末以后,HgCdTe、PbSnTe等可变禁带宽度的三元系材料的研究取得进展。 工作原理和特性 光电导效应是内光电效应的一种。当照射的光子能量hv等于或大于半导体的禁带宽度Eg时，光子能够将价带中的电子激发到导带，从而产生导电的电子、空穴对,这就是本征光电导效应。这里h是普朗克常数，v是光子频率,Eg是材料的禁带宽度（单位为电子伏）。因此，本征光电导体的响应长波限λc为 λc=hc/Eg=1.24/Eg (μm) 式中 c为光速。本征光电导材料的长波限受禁带宽度的限制。

在60年代初以前还没有研制出适用的窄禁带宽度的半导体材料，因而人们利用非本征光电导效应。Ge、Si等材料的禁带中存在各种深度的杂质能级，照射的光子能量只要等于或大于杂质能级的离化能，就能够产生光生自由电子或自由空穴。非本征光电导体的响应长波限λ由下式求得： λc=1.24/Ei 式中Ei代表杂质能级的离化能。到60年代中后期，Hg1-xCdxTe、PbxSn1-xTe、PbxSn1-xSe等三元系半导体材料研制成功,并进入实用阶段。它们的禁带宽度随组分x值而改变，例如x=0.2的HG0.8Cd0.2Te材料，可以制成响应波长为 8～14微米大气窗口的红外探测器。它与工作在同样波段的Ge：Hg探测器相比有如下优点：

工作温度高（高于77K），使用方便,而Ge:Hg工作温度为38K；本征吸收系数大,样品尺寸小；易于制造多元器件。表1和表2分别列出部分半导体材料的Eg、Ei和λc值。

EMG LLS 1275/01 高频光源发射器LICHTBAND